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J-GLOBAL ID：200903070476466885

キャパシタを有する半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： 黒岩 丈晴
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997076823
Publication number (International publication number)：1998270662
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低抵抗化が容易で、圧縮応力が小さく、かつ結晶粒が均一かつ微細な電極を含むキャパシタを有する半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 ストレージノード1およびセルプレート5が、水素を0.1体積%以上4体積%以下含むガス中でスパッタリングにより成膜され、たとえばRu金属よりなる。

Claim (excerpt)：

高誘電率材料を含むキャパシタ誘電体層を第1および第2の電極で挟んでなるキャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法であって、前記第1および第2の電極の少なくともいずれかは、0.1体積%以上4体積%以下の水素を含むガス中でスパッタ蒸着法により、Ru、Ir、Re、Pt、Pd、Rhよりなる群から選ばれた1種以上の材料よりなるように形成される、キャパシタを有する半導体記憶装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• マイクロ電子構造体とその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-196766   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 酸化防止作用を有する白金膜を基板上に蒸着する方法と、その方法により製造された装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-035332   Applicant：東洋セメント株式会社
• 窒素を使用して優先配向された白金薄膜を形成する方法と、その形成方法により製造された装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-031940   Applicant：東洋セメント株式会社