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J-GLOBAL ID：200903070523819287

不揮発性半導体メモリ装置とその読出及びプログラム方法

Inventor： 金 鎭祺
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 高月 猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996299005
Publication number (International publication number)：1997180477
Application date： Nov. 11, 1996
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 外部記憶回路を使用せずにすみ且つ複写データが反転しないような高速のページ複写を行える不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ100の1行ごとにメモリトランジスタを少なくとも1ずつ追加形成してフラグセル部200を構成し、該フラグセル部200に記憶されるフラグもメモリセルアレイのデータと共に貯蔵するページバッファ300とする。そして、ページバッファ300の貯蔵データを出力する際に、フラグセルのフラグに従いメモリセルアレイのデータを補正する補正手段500を設ける。ページバッファ300を利用する高速複写とした上で、この場合に反転する複写データを出力するときには、フラグに従い補正手段500で元に戻して出力することができる。

Claim (excerpt)：

フローティングゲート形のメモリトランジスタを行と列のマトリックス形態に配列したメモリセルアレイをもつ電気的消去可能でプログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置において、メモリセルアレイの1行ごとに設けられ、該メモリセルアレイの読出及びプログラムと共に読出及びプログラムされるフラグセルと、前記メモリセルアレイの列及び前記フラグセルの列に接続されたデータラッチを有し、読出及びプログラム時に前記メモリセルアレイのデータ及び前記フラグセルのフラグを同時に貯蔵するデータ貯蔵手段と、該データ貯蔵手段の貯蔵データを出力する際に、前記メモリセルアレイのデータを前記フラグセルのフラグに従って補正する補正手段と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-178194   Applicant：株式会社東芝
• 不揮発性半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077948   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-162800