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J-GLOBAL ID：200903070613169850

多接合型太陽電池の製造方法

Inventor：
後藤 肇

About 後藤 肇


Applicant, Patent owner：
本田技研工業株式会社

About 本田技研工業株式会社


Agent (2)： 佐藤 辰彦 ,  千葉 剛宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006198545
Publication number (International publication number)：2008028118
Application date： Jul. 20, 2006
Publication date： Feb. 07, 2008
Summary：
【課題】4接合太陽電池を実現でき、デバイスを大面積化できる多接合型太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】第1の半導体からなる基板2上に核生成サイトを配設し、第1の原料ガスを供給し、核生成サイトに半導体3をワイヤー状に成長させる。第3〜4の原料ガスを供給し、半導体3上に半導体4を、半導体4上に半導体5をワイヤー状に成長させる。基板6上に核生成サイトを配設し、第1の原料ガスを供給して、核生成サイトに半導体2aをワイヤー状に成長させ、第2〜4の原料ガスを供給して、半導体2a上に半導体3を、半導体3上に半導体4を、半導体4上に半導体5ワイヤー状に成長させる。前記半導体は基板2,6に近いほどバンドギャップが狭く、離れるほどバンドギャップが広い。核生成サイトはAu等の触媒粒子からなる。半導体2,2aはGeであり、半導体3はInGaAsであり、半導体4はGaAsであり、半導体5はAlGaAsである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1の単接合型太陽電池を形成する第1の半導体からなる基板上に核生成サイトを配設する工程と、 第1の原料ガスを供給して、該核生成サイトに第2の半導体からなる第2の単接合型太陽電池をワイヤー状に成長させる工程とを備えることを特徴とする多接合型太陽電池の製造方法。
IPC (2)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L31/04 E ,  H01L21/205
F-Term (23)：
5F045AA04 ,  5F045AB05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045DB09 ,  5F051AA08 ,  5F051BA11 ,  5F051CB08 ,  5F051CB12 ,  5F051DA01 ,  5F051DA07 ,  5F051DA11 ,  5F051DA20 ,  5F051GA04 ,  5F051GA06 ,  5F051GA11 ,  5F051GA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 多接合太陽電池
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-210618   Applicant：株式会社ジャパンエナジー
Cited by examiner (5)
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