SOI基板およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995150464
Publication number (International publication number)：1997008128
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】パワー素子と超薄膜SOI素子を含む制御回路素子とを1チップに集積するためのSOI基板を提供する。【構成】第1のシリコン基板1に部分的に絶縁膜3を埋め込み、平坦面とした後、低濃度エピタキシャル層5を形成した第2のシリコン基板4と貼り合わせる。研削・研磨によってSOI層を0.1μm程度に超薄膜化し、超薄膜SOI層7上に素子分離のための絶縁膜8を形成しする。このようにして、縦型のパワー素子と、超薄膜SOI素子とを1チップに集積するためのSOI基板を得る。

Claim (excerpt)：

第1の単結晶シリコン基板と第2の単結晶シリコン基板とが貼り合わされたSOI基板において、前記第1の単結晶シリコン基板が、その貼り合わせ面側の表面に部分的に埋め込まれた第1の絶縁膜と、前記絶縁膜と前記貼り合わせ面の反対側の、第1の単結晶シリコン基板の表面との間に形成された超薄膜SOI層とを有し、第2の単結晶シリコン基板の貼り合わせ面表面には低濃度の単結晶シリコンエピタキシャル層を有し、かつ、前記超薄膜SOI層側表面から第1の絶縁膜まで達する第2の絶縁膜が複数形成されていることを特徴とするSOI基板。

IPC (2)：

H01L 21/762 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/76 D , H01L 27/12 B , H01L 27/12 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-126255
特開平4-029353
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-287614 Applicant：三菱電機株式会社

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