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J-GLOBAL ID：200903070756114550

化合物単結晶製造装置および/または熱処理装置

Inventor： 上原 一浩 ,  坂下 由彦 ,  岡田 広 ,  川中 岳穂
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 安田 敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997318532
Publication number (International publication number)：1999157980
Application date： Nov. 19, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 リザーバに収納する高解離圧成分元素の歩留りを向上するとともにメンテナンスの機会を少なくする。【解決手段】 加熱要素6Aを有する容器1に収納している化合物半導体の原料または化合物半導体結晶10を覆う気密容器7を設け、該気密容器7内に、前記化合物半導体を構成する高解離圧成分の元素9を収納するための容器8を設け、前記気密容器7内へのガス流動を行うための開閉弁11を設けている。

Claim (excerpt)：

加熱要素を有する容器に収納している化合物半導体の原料または化合物半導体結晶を覆う気密容器を設け、該気密容器内に、前記化合物半導体を構成する高解離圧成分の元素を収納するための容器を設け、前記気密容器内へのガス流動を行うための開閉弁を設けていることを特徴とする化合物単結晶製造装置および/または熱処理装置。

IPC (3)：

C30B 11/00 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/208

FI (3)：

C30B 11/00 Z ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/208 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ZnSe単結晶の製造方法およびその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-061096   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 化合物単結晶の製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-256964   Applicant：株式会社神戸製鋼所