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J-GLOBAL ID：200903070758109309

窒化物化合物半導体のエピタキシャル成長

Inventor：
蔡 宗 良

About 蔡 宗 良

, 
張 智 松

About 張 智 松


Applicant, Patent owner：
ユナイテッド エピタクシー カンパニー リミッテッド

About ユナイテッド エピタクシー カンパニー リミッテッド


Agent (1)： 吉武 賢次 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001011695
Publication number (International publication number)：2002170991
Application date： Jan. 19, 2001
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：
【要約】【課題】 III族窒化物化合物半導体の成長時の転位密度を減少させるための材料および構造の提供。【解決手段】 半導体構造中にはII族窒化物化合物の単結晶島層が含まれ、この層の上にIII族窒化物化合物半導体層が成長する。それによって、GaN化合物半導体層と基板との格子定数の差に起因する転位密度が減少する。また、本発明により、III族窒化物化合物半導体の結晶化特性が改良される。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上のII族窒化物化合物単結晶島層と、前記II族窒化物化合物単結晶島層上の第1のIII族窒化物化合物半導体層と、前記第1のIII族窒化物化合物半導体層上のIII族窒化物発光領域と、前記III族窒化物発光領域上の第2のIII族窒化物化合物半導体層と、を含んでなる発光半導体デバイス。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 Z ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205
F-Term (57)：
4G077AA03 ,  4G077AA10 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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