光半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：春日讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998099164
Publication number (International publication number)：1999295561
Application date： Apr. 10, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】特殊な設備を用いることなく、短時間かつ容易な作業で非球面レンズの位置調整を行い、高い効率で半導体素子と光ファイバとを光結合させる。【解決手段】レーザダイオード1及びフォトダイオード2と、これら半導体素子1,2を搭載するシリコン基板4と、半導体素子1,2と光学的に結合されレーザ光を内部伝送する光ファイバと、シリコン基板4に搭載され半導体素子1,2と光ファイバとを光学的に結合させる非球面レンズ3とを有する光半導体装置において、シリコン基板4は、軸線が半導体素子1,2と光ファイバとの間のレーザ光の光軸方向と略同じ方向であるV溝5を備えており、非球面レンズ3は、その外周面15がV溝5に少なくとも2面で面接触するか又は少なくとも2箇所で線接触するように、V溝5に直接固定されている。

Claim (excerpt)：

半導体発光素子及び半導体受光素子のうち少なくとも一方からなる半導体素子と、この半導体素子を搭載する基板部材と、前記半導体素子と光学的に結合されレーザ光を内部伝送する光ファイバと、前記基板部材に搭載され、前記半導体素子と前記光ファイバとを光学的に結合させるレンズとを有する光半導体装置において、前記基板部材は、軸線が半導体素子と前記光ファイバとの間のレーザ光の光軸方向と略同じ方向である溝部を備えており、前記レンズは、その外周面が前記溝部に少なくとも2面で面接触するか又は少なくとも2箇所で線接触するように、前記溝部に直接固定されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (4)：

G02B 6/42 , G02B 6/32 , H01L 31/0232 , H01L 33/00

FI (4)：

G02B 6/42 , G02B 6/32 , H01L 33/00 M , H01L 31/02 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

光サブアセンブリ及び光モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-001107 Applicant：株式会社日立製作所
レンズ実装方法と装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-012121 Applicant：住友電気工業株式会社
光接続素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-264585 Applicant：松下電器産業株式会社

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