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J-GLOBAL ID:200903071014275770
プラズマ処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995246607
Publication number (International publication number):1997069399
Application date: Aug. 31, 1995
Publication date: Mar. 11, 1997
Summary:
【要約】【目的】 高周波誘導プラズマ装置のプラズマ密度の均一化を図る。【構成】 高周波アンテナ112に高周波電力を印加して誘電体108を介して処理室102a内に誘導プラズマを励起し、処理室内の被処理体Lに対して処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置100において、高周波アンテナ114、116は、誘電体上方に配置された共通給電点115より誘電体近傍に到る分岐部114a、116bを有し、その分岐部の終端より第1ターン114bを形成し、その第1ターンの端部から放射状に広がり(114c)、その放射状に広がった端部から第2ターン114dを形成している。従って、従来のように処理室内の中央部に高密度プラズマが生成されるのではなく、処理室内全体にわたり均一な密度のプラズマを得ることができる。
Claim (excerpt):
高周波アンテナに高周波電力を印加することにより誘電体を介して処理室内に誘導プラズマを励起して、前記処理室内の被処理体に対して処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において、前記高周波アンテナは複数の高周波アンテナ部材から成り、その各高周波アンテナ部材は、前記誘電体の上方に配置された共通給電点より分岐して前記誘電体上面またはその近傍に到る分岐部と、その分岐部の誘電体側の端部付近にてターンを形成する第1ターン部と、その第1ターン部から延びる延伸部と、その延伸部からターンを形成する第2ターン部を備えていることを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (4):
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (4):
H05H 1/46 L
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
共通RF端子を有する対称並列な複数のコイルをもつ誘導結合プラズマ反応器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-283550
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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共振器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-101916
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-306954
Applicant:アネルバ株式会社
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