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J-GLOBAL ID：200903071110954271

シリコンウエハ上の窒化膜形成方法及びシリコンウエハのエッチング方法

Inventor： 松本 幸二 ,  富田 正弘 ,  野口 浩樹 ,  田中 浩 ,  阿部 ▲吉▼次
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995310134
Publication number (International publication number)：1997129636
Application date： Nov. 01, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】シリコンダイヤフラムの加工精度を向上させること。【解決手段】シリコンウエハ2 の第一面2aを研磨し, ウエハ2 を所定の肉厚に形成すると共に鏡面状態にした後, 水にて洗浄する((a)図) 。次にプラズマCVD 装置を用い, 第一面2aをNH3800SCCM,N2300SCCMのガス流量で, 電極間隔35mm, RF出力0.6kW(50kHz),0.25Torr,300 °Cにて90秒間プラズマ処理を行った後に,20%SiH4/N21000SCCM,NH3300SCCM,N2900SCCM,0.45Torr で他は前記処理と同一条件でシリコン窒化膜1 を形成する((b)図) 。続いてホトエッチングにより窒化膜1 を除去し, 所定の形状の開口部1aを設け, ウエハ2 を露出させる((c)図) 。そして温度110 °C, 濃度32wt% のKOH 水溶液を用いてウェットエッチングを行うことにより, 肉厚約30μm で側面部4 を有したダイヤフラム部3 が形成される((d)図) 。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハの面に対して、NH3 、またはN2 とNH3 を用いてプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理された前記面上にシリコン窒化膜を形成する工程とを備えたことを特徴とするシリコンウエハ上の窒化膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/84

FI (3)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/84 B ,  H01L 21/306 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマシリコンナイトライド膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-197026   Applicant：ソニー株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-010529   Applicant：ソニー株式会社