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J-GLOBAL ID：200903071127960780

成膜装置

Inventor： 後藤 謙次 ,  川島 卓也 ,  田辺 信夫 ,  鈴木 康雄
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (4)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005265303
Publication number (International publication number)：2007077436
Application date： Sep. 13, 2005
Publication date： Mar. 29, 2007
Summary：

【課題】 噴霧されたミストの流れを制御することにより、膜形成に寄与するミストの割合を増大させ、成膜速度および成膜効率を向上した成膜装置を提供すること。【解決手段】 本発明の成膜装置は、スプレー熱分解法により被処理体の一面上に薄膜を形成する成膜装置であって、前記被処理体を載置する支持手段と、前記被処理体の一面に向けて、前記薄膜の原料溶液からなるミストを噴霧する吐出手段と、前記吐出手段の吐出口の近傍に給気口を配してなる給気手段と、を少なくとも備え前記給気手段は、前記吐出口から噴霧されたミストを、前記被処理体の一面に押さえ込むように前記給気口から気体を供給することを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

スプレー熱分解法により被処理体の一面上に薄膜を形成する成膜装置であって、 前記被処理体を載置する支持手段と、 前記被処理体の一面に向けて、前記薄膜の原料溶液からなるミストを噴霧する吐出手段と、 前記吐出手段の吐出口の近傍に給気口を配してなる給気手段と、を少なくとも備え、 前記給気手段は、前記吐出口から噴霧されたミストを、前記被処理体の一面に押さえ込むように前記給気口から気体を供給することを特徴とする成膜装置。

IPC (3)：

C23C 16/44 ,  B05B 13/00 ,  C23C 16/40

FI (3)：

C23C16/44 A ,  B05B13/00 ,  C23C16/40

F-Term (15)：

4F035AA04 ,  4F035CA02 ,  4F035CA05 ,  4F035CB03 ,  4F035CB13 ,  4F035CC01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA14 ,  4K030BA11 ,  4K030EA01 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  5G323BA03 ,  5G323BB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 実開平06-012446号公報
  
• 特開平2-288665号公報
  

Cited by examiner (4)

• 特開平4-164895
  
• 半導体結晶膜の成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-281794   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-169559   Applicant：日本スピンドル製造株式会社, 有限会社マイクロシステム
• スプレー熱分解法用製膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-336687   Applicant：株式会社フジクラ