半導体装置と半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995330779
Publication number (International publication number)：1997172223
Application date： Dec. 19, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】基板上に、GaN等のIII-V 族化合物半導体層による半導体レーザ等の半導体装置を形成するに、その基板がこれの上の半導体層の劈開し易い面と一致する劈開し易い面が存在しないとか、劈開性が弱い基板である場合において、基板とともに半導体層をその劈開し易い面で破断してチップ化できて、この半導体層の破断面を光学的にすぐれた面として確実に形成できるようにする。【解決手段】基板1上に、{Ga,Al,In}のうちの少なくとも1つの元素とNとを含む化合物半導体層2を有し、この化合物半導体層2は、上記基板1にほぼ垂直な一対の{11-20}面よりなる端面を有する構成とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、{Ga,Al,In}のうちの少なくとも1つの元素とNとを含む化合物半導体層を有し、該化合物半導体層は、上記基板にほぼ垂直な対を成す{11-20}面よりなる端面を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/20 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-262589
特開平2-033948
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-295433 Applicant：日亜化学工業株式会社

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