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J-GLOBAL ID：200903071193164587

不揮発性半導体装置

Inventor： 和辻 行広 ,  丸山 明
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993160076
Publication number (International publication number)：1994068688
Application date： Jun. 03, 1993
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電子の放出動作、例えば消去動作によって生ずるメモリートランジスタのしきい値電圧のばらつきを適正な範囲に収めるとともに、消去時間の最適化を図ることできる不揮発性半導体装置を提供すること。【構成】 本発明によれば、電位差設定部30により、メモリートランジスタ1a〜1dのコントロールゲート電極とソース電極との間に所定の電位差を印加することにより消去動作を行うことができる。また、ベリファイ回路8により、メモリートランジスタ1a〜1dのしきい値電圧を検出することによりベリファイ動作を行うこともできる。この場合、電位差設定部30は、ベリファイ回路8からのDetect信号に基づいて、即ちメモリートランジスタのしきい値電圧に応じて、電位差の印加時間または電位差の大きさを制御することができる。これにより、過剰消去を有効に防止できると共に、消去時間の最適化を図ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

フローティングゲート電極と、コントロールゲート電極と、第1、第2の拡散層とを備え、前記フローティングゲート電極に対する電子の注入・放出動作によりデータの記憶を行うメモリートランジスタを含んで構成される不揮発性半導体装置であって、電子の放出動作時に前記コントロールゲート電極と前記第1の拡散層との間に所定の電位差を設定する電位差設定手段と、電子の放出動作後しきい値電圧をモニタするベリファイ動作時に前記メモリートランジスタのしきい値電圧を検出するベリファイ動作手段とを含み、前記電位差設定手段は、前記ベリファイ動作手段により検出されたしきい値電圧の検出結果に基づいて電位差の印加時間を制御することを特徴とする不揮発性半導体装置。

FI (2)：

G11C 17/00 309 C ,  G11C 17/00 309 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-211743   Applicant：富士通株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-051373   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-296998
  
• 特開平1-113997
  

Cited by examiner (4)

• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-211743   Applicant：富士通株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-051373   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-296998
  
• 特開平1-113997