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J-GLOBAL ID：200903071211966599

波長分割多重光デバイス及びその製造方法

Inventor：
田中 一弘

About 田中 一弘

, 
中川 剛二

About 中川 剛二

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山崎 洋介

About 山崎 洋介

, 
田淵 晴彦

About 田淵 晴彦


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 松本 昂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997272733
Publication number (International publication number)：1999109149
Application date： Oct. 06, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：
【要約】【課題】 本発明の課題は、フィルタの溝中への挿入工程の容易化を図った波長分割多重光デバイスを提供することである。【解決手段】 波長分割多重光デバイスであって、導波路基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層中に埋設された第1光導波路と、一端が第1光導波路の中間部分に接続されてクラッド層中に埋設された第2光導波路と、第1及び第2光導波路の接続部分を横切るように導波路基板及びクラッド層中に形成された挿入溝とを含んでいる。波長分割多重光デバイスは更に、挿入溝の両側部分を含むようにクラッド層中に形成された、クラッド層の両側面にそれぞれ開口する第1及び第2幅広の溝と、挿入溝中に挿入された波長選択フィルタとを含んでいる。
Claim (excerpt)：
導波路基板と;前記導波路基板上に形成された、第1及び第2端面と第1及び第2側面とを有するクラッド層と;前記クラッド層中に埋設された第1光導波路と;一端が前記第1光導波路の中間部分に接続されて前記クラッド層中に埋設された第2光導波路と;前記第1及び第2光導波路の接続部分を横切るように前記導波路基板及び前記クラッド層中に第1側面から第2側面に渡り形成された挿入溝と;前記挿入溝の両側部分を含むように少なくとも前記クラッド層中に形成された、該クラッド層の第1及び第2側面にそれぞれ開口する第1及び第2の幅広の溝と;前記挿入溝中に挿入された波長選択フィルタと;を具備したことを特徴とする波長分割多重光デバイス。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (4)
  • フィルタ付導波路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-286280   Applicant：日立電線株式会社
  • 導波形光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-261480   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 特開昭63-029709
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