半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：北野好人 , 三村治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003187014
Publication number (International publication number)：2005026273
Application date： Jun. 30, 2003
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：

【課題】金属置換技術及びサリサイド技術の双方の利点を生かしつつ、ゲート電極及びソース/ドレイン領域の低抵抗化が可能な半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10上に形成された置換メタルよりなるゲート電極48と、ゲート電極48の上面上に形成されたシリサイド膜30と、半導体基板10内に形成された不純物拡散領域28と、不純物拡散領域28上に形成されたシリサイド膜30とを有する。これにより、ゲート電極及びソース/ドレイン領域が低抵抗化され、高速・低電力のトランジスタを製造することができる。【選択図】図16

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された置換メタルよりなるゲート電極と、前記ゲート電極の上面上に形成された第1のシリサイド膜と、前記半導体基板内に形成された不純物拡散領域と、前記不純物拡散領域上に形成された第2のシリサイド膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (6)：

H01L29/78 301G , H01L21/28 301S , H01L29/78 301P , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L21/90 C

F-Term (120)：

4M104AA01 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB20 , 4M104BB25 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD03 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD75 , 4M104DD83 , 4M104DD84 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033LL01 , 5F033MM05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN17 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ80 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F033VV06 , 5F033XX10 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AA39 , 5F140BC06 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF60 , 5F140BG03 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG18 , 5F140BG26 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG40 , 5F140BG46 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK34 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07 , 5F140CE08 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体集積回路装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-031572 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-259648 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-192011 Applicant：日本電気株式会社

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