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J-GLOBAL ID：200903079486085003

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 中村 俊二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997259648
Publication number (International publication number)：1999097535
Application date： Sep. 25, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、ポリシリコン-アルミニウム置換法を製造工程があまり増大せず、且つ、素子特性に悪影響を与えないように工夫して適用することによって、プラグ及び配線層を低抵抗化する。【解決手段】 少なくとも下部プラグ5とシリコンで構成される上部プラグ7との間に、置換用金属8に対するバリアとなるストッパ6を設け、上部プラグ7を置換用金属8で置換する。

Claim (excerpt)：

少なくとも下部プラグと金属置換プラグとの間に、置換用金属に対するバリアとなるストッパを設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 301 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-213883   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-183785   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体メモリ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-110307   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-072752
  
• 配線構造及び配線構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-127486   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227698   Applicant：富士通株式会社