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J-GLOBAL ID：200903071409610650

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 長濱 慎一 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996157812
Publication number (International publication number)：1998012969
Application date： Jun. 19, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の発光出力を高め、さらに閾値電流を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】 インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層中にはn型不純物及び/又はp型不純物がドープされており、さらに前記レーザ素子の発光スペクトル中には縦モードの発光ピークとは異なる複数の発光ピークを有する。

Claim (excerpt)：

インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層中にはn型不純物及び/又はp型不純物がドープされており、さらに前記レーザ素子の発光スペクトル中には縦モードの発光ピークとは異なる複数の発光ピークを有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-106056   Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-198306   Applicant：松下電器産業株式会社