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J-GLOBAL ID:200903071435363172

半導体集積回路及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡辺 正康
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996209512
Publication number (International publication number):1998056019
Application date: Aug. 08, 1996
Publication date: Feb. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 金の汚染がなく、アニール工程にも耐え得ることが可能な半導体集積回路を実現する。【解決手段】 フリップチップボンディングを用いた半導体集積回路において、ウェハ上に形成されたアルミニウム配線と、ウェハ及びアルミニウム配線上に形成された絶縁膜と、アルミニウム配線上であって絶縁膜が除去された部分に形成されたチタン薄膜及びこのチタン薄膜上にさらに形成された銀薄膜から構成されるバリアメタルと、このバリアメタル上に形成されたハンダバンプとを設ける。
Claim (excerpt):
フリップチップボンディングを用いた半導体集積回路において、ウェハ上に形成されたアルミニウム配線と、前記ウェハ及び前記アルミニウム配線上に形成された絶縁膜と、前記アルミニウム配線上であって前記絶縁膜が除去された部分に形成されたチタン薄膜及びこのチタン薄膜上にさらに形成された銀薄膜から構成されるバリアメタルと、このバリアメタル上に形成されたハンダバンプとを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3):
H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205
FI (4):
H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 603 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭63-114237
  • 特開昭63-110751
  • ICチップの接続方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-283594   Applicant:田中電子工業株式会社
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