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J-GLOBAL ID：200903071474556069

パッシベーション構造

Inventor：
陳光榮

About 陳光榮


Applicant, Patent owner：
統寶光電股▲ふん▼有限公司

About 統寶光電股▲ふん▼有限公司


Agent (1)： 鈴木 征四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003176202
Publication number (International publication number)：2004063462
Application date： Jun. 20, 2003
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：
【課題】この発明の課題は、ダイヤモンドに似た炭素薄膜からなるサイクリック構造からなるパッシベーション構造を提供することである。【解決手段】基板の上に配置された電気素子を封止するパッシベーション構造を紹介している。パッシベーション構造は電気素子の表面と側面と基板の表面とを覆う第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜層と、第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜層の上のバッファー層と、バッファー層の上の、第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜層を含む。第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜層の一部は、第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜層を直接覆ってサイクリック構造を形成している。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
基板に置かれた電気素子を覆うパッシベーション構造であって、パッシベーション構造の最下層としては、基板と電気素子の表面および側面を覆う第一のダイヤモンドに似た炭素(DLC)薄膜であり、その第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜の上にバッファー層が配され、パッシベーション構造の表面層としては、第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜の一部分とバッファー層を覆う第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜とで構成され、第一のダイヤモンドに似た炭素薄膜と第二のダイヤモンドに似た炭素薄膜とでサイクリック構造をなしていることを特徴とするパッシベーション構造。
IPC (2)：
H05B33/04 ,  H05B33/14
FI (2)：
H05B33/04 ,  H05B33/14 A
F-Term (14)：
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007AB14 ,  3K007BB02 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4K030BA28 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030JA01 ,  4K030LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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