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J-GLOBAL ID：200903071491591919

CMOSイメージセンサの製造方法

Inventor：
朴 基 男

About 朴 基 男

, 
權 五 鳳

About 權 五 鳳


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000392084
Publication number (International publication number)：2001267547
Application date： Dec. 25, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】フォトダイオード領域の表面で発生する暗電流を減少させることができるイメージセンサの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板41上に形成されたフォトダイオード47と周辺素子とを含む半導体構造体を提供する第1ステップと、前記半導体構造体上に絶縁膜52を形成する第2ステップと、前記絶縁膜上に水素イオンを含有する水素含有誘電体膜53を形成する第3ステップと、前記水素含有絶縁層内の水素イオンを前記フォトダイオードの表面に拡散させてダングリングボンド(dangling bond)を除去する第4ステップと、前記水素含有誘電体膜を除去する第5ステップとを含んでなるCMOSイメージセンサの製造方法。
Claim (excerpt)：
CMOSイメージセンサの製造方法において、半導体基板上に形成されたフォトダイオードと周辺素子とを含む半導体構造体を提供する第1ステップと、前記半導体構造体上に絶縁膜を形成する第2ステップと、前記絶縁膜上に水素イオンを含有する水素含有誘電体膜を形成する第3ステップと、前記水素含有絶縁層内の水素イオンを前記フォトダイオードの表面に拡散させてダングリングボンド(dangling bond)を除去する第4ステップと、前記水素含有誘電体膜を除去する第5ステップとを含んでなるCMOSイメージセンサの製造方法。
IPC (4)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/316 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (5)：
H01L 21/316 P ,  H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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