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J-GLOBAL ID：200903071493584197

暗電流を減少させたイメージセンサの製造方法

Inventor：
李 柱日

About 李 柱日


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (1)： 長谷 照一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002329424
Publication number (International publication number)：2003282856
Application date： Nov. 13, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 暗電流による画質低下を抑制することに好適なイメージセンサの製造方法を提供する。【解決手段】 フォトダイオード、ゲートおよび保護膜の順に行なわれるCMOSロジック工程、カラーフィルタ形成工程並びにマイクロレンズ形成工程の順に行なわれるイメージセンサの製造方法において、CMOSロジック工程の後に、フォトダイオード表面まで水素イオンを拡散させて、フォトダイオード表面に発生したダングリングボンドを除去する。
Claim (excerpt)：
フォトダイオード、トランジスタゲート、保護膜の順に行なわれるCMOSロジック工程、カラーフィルタ形成工程及びマイクロレンズ形成工程の順に行なわれるイメージセンサの製造方法であって、前記ロジック工程の後に、前記フォトダイオードの表面に水素イオンを拡散させて前記フォトダイオード表面に発生したダングリングボンドを除去するステップを含んでなることを特徴とするイメージセンサの製造方法。
IPC (2)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2)：
H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
F-Term (28)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118DD12 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5F049MA12 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049PA01 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049PA18 ,  5F049PA20 ,  5F049QA09 ,  5F049QA20 ,  5F049RA06 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • CMOSイメージセンサの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-392084   Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
  • 特開昭62-190870
  • 特開平3-200367
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