窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997237925
Publication number (International publication number)：1999087850
Application date： Sep. 03, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体レーザをパッケージに組み込んだ際、レーザ素子の積層構造体を通して漏れ出る光によるホトダイオードの誤作動があった。【解決手段】基板と基板上の積層構造体を有する窒化物系化合物半導体レーザ素子において、積層構造体中の、活性層を挟んでサブマウント等へのマウント面とは反対側のクラッド層と、マウント面に、活性層よりも小さなバンドギャップを有する光吸収層を設けることを特徴とする、窒化物系化合物半導体レーザ素子。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に設けられた積層構造体とを備えた窒化物系化合物半導体レーザ素子であって、該積層構造体中の、活性層を挟んでサブマウント等へのマウント面とは反対側のクラッド層と、当該マウント面の間の、任意の部位に、該活性層よりも小さなバンドギャップを有しているところの光吸収層を設けることを特徴とする、窒化物系化合物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-233178 Applicant：ローム株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-115762 Applicant：三洋電機株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235012 Applicant：ローム株式会社

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