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J-GLOBAL ID:200903071910557890

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995297707
Publication number (International publication number):1997115694
Application date: Oct. 19, 1995
Publication date: May. 02, 1997
Summary:
【要約】【課題】 低圧雰囲気であってもプラズマを容易に点火できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本装置は、第1および第2電極から成るスパーク発生手段204、206、紫外線を発する水銀ランプなどの電磁波発生手段222、フィラメントなどの熱電子発生手段232、放射線同位体などの放射線発生手段242を備えることにより、プラズマ点火時に、処理室102a内の粒子を活性化し、低圧雰囲気であっても容易にプラズマが励起されるように構成している。
Claim (excerpt):
高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、前記処理室内の被処理体に対して処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において、前記処理室内にスパーク電極を設け、プラズマ点火時にそのスパーク電極に電位を印加しスパークさせることを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (7):
H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (9):
H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 B ,  C23C 14/34 T ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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