記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220221
Publication number (International publication number)：1995074324
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】ペロブスカイト結晶構造を持つチタン酸ジルコニュウム鉛(PZT)系等の強誘電体膜から成る記憶装置の劣化を防止し、記憶回数と寿命の向上を図る。【構成】強誘電体膜表面に燐ガラス膜を形成する。第1の電極であるPt/Ti膜からなる電極膜101上には強誘電体膜102が形成され、該強誘電体膜102上には燐ガラス膜107が形成され、該燐ガラス膜107上には第2の電極であるTi/Pt膜から成る電極膜103が形成されて成る。また強誘電体膜側面に燐ガラス膜を形成する、あるいは強誘電体膜表面を粗構造とすること等。【効果】結晶格子内の酸素欠損を補償する酸化剤を付加するかあるいは自己補償を可能にするために強誘電体膜の少なくとも表面を粗状にすることにより、強誘電体膜の劣化を防止することができる。書換え回数が10億回以上で、10年以上の寿命のある記憶装置を提供できる。

Claim (excerpt)：

強誘電体膜表面には燐ガラス膜が形成されて成ることを特徴とする記憶装置。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/04 , H01L 27/10 325 J , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-165551 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-278604 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路用容量素子及び製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-015446 Applicant：株式会社日立製作所

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