GaN単結晶基板およびその製造方法ならびに発光デバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004020078
Publication number (International publication number)：2005213075
Application date： Jan. 28, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：

【課題】光の吸収係数の小さいGaN単結晶基板およびその製造方法ならびに光出力の大きい発光デバイスを提供する。【解決手段】直径が20mm以上、かつ厚さが70μm〜450μmであるGaN単結晶基板であって、GaN単結晶基板の375nm〜500nmの波長を有する光の吸収係数αが7cm-1〜68cm-1であることを特徴とするGaN単結晶基板。ここで、GaN単結晶基板のキャリア濃度は、5×1017cm-3〜2×1019cm-3であることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

直径が20mm以上、かつ厚さが70μm〜450μmであるGaN単結晶基板であって、前記GaN単結晶基板の375nm〜500nmの波長領域にある光の吸収係数αが7cm-1〜68cm-1であることを特徴とするGaN単結晶基板。

IPC (4)：

C30B29/38 , C30B25/04 , H01L21/205 , H01L33/00

FI (4)：

C30B29/38 D , C30B25/04 , H01L21/205 , H01L33/00 C

F-Term (45)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB04 , 4G077DB04 , 4G077EB01 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077EF03 , 4G077HA12 , 4G077TB02 , 4G077TC14 , 4G077TC16 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK11 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA54 , 5F041CA56 , 5F041CA57 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AF04 , 5F045AF12 , 5F045AF20 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA62 , 5F045GH10 , 5F045HA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

GaN単結晶基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-171276 Applicant：住友電気工業株式会社
窒化物系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-168910 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (3)

GaN単結晶基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-171276 Applicant：住友電気工業株式会社
GaN単結晶基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-183446 Applicant：住友電気工業株式会社
III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-098065 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

Return to Previous Page