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J-GLOBAL ID：200903083536905799

窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： 山本 健作 ,  幡 俊雄 ,  辰巳 正毅 ,  筆田 麻祐子
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001168910
Publication number (International publication number)：2002368261
Application date： Jun. 05, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 透光性電極を有する窒化物系化合物半導体発光素子において、基板外部への光取り出しが透光性電極を通して行われるため、透光性電極による光の取り出し損失がある。【解決手段】 基板裏面に凹凸を設けて、光を基板側面に向けて反射させることによって、基板側面からの光の取り出し効率を上げる。

Claim (excerpt)：

発光波長に対して透明基板と、基板とは反対側に透光性電極を有する窒化物系化合物半導体発光素子において、透明基板の裏面に凹凸を形成することを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

F-Term (11)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体発光素子および発光ランプ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-069421   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-108171   Applicant：ローム株式会社
• 発光ダイオ-ド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-373153   Applicant：信越半導体株式会社