III族窒化物の結晶成長方法及びIII族窒化物結晶及び半導体デバイス及びシステム

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004011536
Publication number (International publication number)：2004307322
Application date： Jan. 20, 2004
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】実用的な大きさの高品質なIII族窒化物結晶を成長させることが可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した溶液25からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記溶液25に、該溶液25中への窒素の溶解度を増加させる物質を含ませる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した溶液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、前記溶液に、該溶液中への窒素の溶解度を増加させる物質を含ませることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。

IPC (8)：

C30B29/38 , C30B11/00 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L31/10 , H01L33/00 , H01S5/343

FI (6)：

C30B29/38 D , C30B11/00 Z , H01L33/00 C , H01S5/343 610 , H01L31/10 A , H01L29/80 H

F-Term (40)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077CD05 , 4G077EA06 , 4G077EC08 , 4G077EJ09 , 4G077HA12 , 4G077MB12 , 4G077MB32 , 4G077MB35 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041EE25 , 5F041FF11 , 5F049MA05 , 5F049MB07 , 5F049NA04 , 5F049NA05 , 5F049SE05 , 5F049SE12 , 5F049SS04 , 5F073AA13 , 5F073AA73 , 5F073CB02 , 5F073CB22 , 5F073DA32 , 5F073EA28 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-175577 Applicant：株式会社リコー
結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-277045 Applicant：株式会社リコー, 島田昌彦, 山根久典

Cited by examiner (3)

ガリウム含有窒化物のバルク単結晶の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-143449 Applicant：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-221628 Applicant：日立電線株式会社
特開昭60-122797

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Growth of bulk GaN single crystals using Li-Na mixed flux system

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