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J-GLOBAL ID：200903071987060735

磁気ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法及びその製造方法

Inventor：
細谷 啓司

About 細谷 啓司

, 
永瀬 俊彦

About 永瀬 俊彦

, 
浅尾 吉昭

About 浅尾 吉昭


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007060693
Publication number (International publication number)：2008227009
Application date： Mar. 09, 2007
Publication date： Sep. 25, 2008
Summary：
【課題】セルの微細化を図りつつ、書き込み電流を低減する。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第1の方向に延在されたビット線BLと、第1の方向と異なる第2の方向に延在されたワード線WL2と、磁化方向が固定された固定層と磁化方向が反転可能な記録層と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層とを備え、固定層及び記録層の磁化方向は膜面に対して垂直方向である磁気抵抗効果素子MTJ1と、磁気抵抗効果素子に接するヒーター層HT1を有し、ビット線に接続され、ワード線と絶縁されてワード線の側面側に配置されたメモリ素子MC1とを具備する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
第1の方向に延在されたビット線と、 前記第1の方向と異なる第2の方向に延在されたワード線と、 磁化方向が固定された固定層と磁化方向が反転可能な記録層と前記固定層及び前記記録層の間に設けられた非磁性層とを備え、前記固定層及び前記記録層の前記磁化方向は膜面に対して垂直方向である磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に接するヒーター層とを有し、前記ビット線に接続され、前記ワード線と絶縁されて前記ワード線の側面側に配置されたメモリ素子と を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15
FI (4)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 140
F-Term (47)：
4M119AA03 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119CC06 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE05 ,  4M119EE08 ,  4M119EE12 ,  4M119EE22 ,  4M119EE28 ,  4M119EE29 ,  4M119EE35 ,  4M119FF04 ,  4M119FF05 ,  4M119GG02 ,  4M119GG07 ,  4M119GG08 ,  4M119JJ15 ,  4M119KK09 ,  4M119KK12 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC46 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092EA01 ,  5F092FA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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