磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003194513
Publication number (International publication number)：2005032878
Application date： Jul. 09, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】熱安定性に優れ、磁化自由層のスピンモーメントのスイッチングを繰り返しても安定した磁化固着層の磁区を維持することを可能にする。【解決手段】スピンモーメントが膜面に垂直な方向に向いてスピンモーメントの方向が固定された磁性層を有する磁化固着層4と、スピンモーメントが膜面に垂直な方向に向く磁気記録層8と、磁化固着層と磁気記録層との間に設けられる非磁性層6と、磁化固着層の少なくとも側面に設けられた反強磁性膜9と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

スピンモーメントが膜面に垂直な方向に向いて前記スピンモーメントの方向が固定された磁性膜を有する磁化固着層と、スピンモーメントが膜面に垂直な方向に向く磁気記録層と、前記磁化固着層と前記磁気記録層との間に設けられる非磁性層と、前記磁化固着層の少なくとも側面に設けられた反強磁性膜と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7)：

H01L43/08 , G11C11/15 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L43/10

FI (8)：

H01L43/08 Z , H01L43/08 M , G11C11/15 110 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/10 , H01L27/10 447

F-Term (18)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA06 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083PR12 , 5F083PR22 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

磁気薄膜メモリ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-265669 Applicant：キヤノン株式会社
磁気検出素子及びその製造方法、ならびに前記磁気検出素子を用いた薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-089408 Applicant：アルプス電気株式会社
磁気トンネル接合積層型ヘッド及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-203059 Applicant：株式会社日立製作所

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