Pat

J-GLOBAL ID：200903072058770244

不均一ナローギャップ半導体の室温における極超巨大磁気抵抗

Inventor： ダニエル アール ハインズ ,  スチュワート ソリン ,  テェニカ ティオ ,  タオ ザオ
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000364845
Publication number (International publication number)：2001223411
Application date： Nov. 30, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 導電性の不均一性を含む半導体材料を有する磁気抵抗センサを提供することであり、不均一性の寸法はセンサの磁気抵抗を最適化するように選択される。【解決手段】 金のような埋め込まれた同心の導電材料を有する、アンチモン化インジウムのような均一性の非磁性半導体材料の対称的なファン・デル・パウ・ディスク。不均一性は、それぞれ0.05、0.25及び4.0Tの磁界において、100%、9,100%及び750,000%と高い室温幾何学的極超巨大磁気抵抗(EMR)を示す。さらに、周囲の半導体材料の断面積に比較して十分に大きい断面積の不均一性に対して、抵抗が急速に増加する開始磁界に到るまではディスクの抵抗は磁界に依存しない。

Claim (excerpt)：

不均一性を中に埋め込まれた磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサであって、半導体基板と、前記基板の上に配置された領域Aaを有する閉じた輪郭の形式の半導体材料と、導電不均一性を形成するために少なくとも部分的に前記半導体材料の中に配置された領域Abを有する導電材料とを有し、ほぼ室温において前記センサの磁気抵抗を最大にするように、領域Aaの領域Abに対する比率が選択される不均一性を中に埋め込まれた磁気抵抗ファン・デル・パウ・センサ。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/08 S ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 磁気抵抗センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-351638   Applicant：日本電気株式会社
• HgCdTe薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-308248   Applicant：日本電気株式会社
• 磁電変換素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-031823   Applicant：旭化成電子株式会社, 旭化成工業株式会社

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-351638   Applicant：日本電気株式会社
• HgCdTe薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-308248   Applicant：日本電気株式会社
• 磁電変換素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-031823   Applicant：旭化成電子株式会社, 旭化成工業株式会社