磁電変換素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：谷義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998031823
Publication number (International publication number)：1999233849
Application date： Feb. 13, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】樹脂で覆われ、かつ極めて小さな投影面積や薄型化を可能とし、さらに実装の良否の判定が破壊せずに各種光学的手段によって観察することが可能となる磁電変換素子と、一括して製造しうる該磁電変換素子の製造方法を提供すること。【解決手段】磁電変換素子は、基板上に磁気を感ずる半導体薄膜3と内部電極2を備え、該内部電極の上に該内部電極と同質または異質の導電性物体として金属性ボール4が形成され、かつ樹脂5により覆われ、該導電性物体の少なくとも一部が該樹脂の表面および横側面に露出しており、その露出した部分7,10が外部電極となる。

Claim (excerpt)：

基板上に磁気を感ずる半導体薄膜と内部電極を備え、該内部電極の上に該内部電極と同質または異質の導電性物体が形成され、かつ樹脂により覆われた磁電変換素子であって、該導電性物体の少なくとも一部が該樹脂の表面および横側面に露出しており、その露出部分が外部電極となることを特徴とする磁電変換素子。

IPC (3)：

H01L 43/02 , H01L 43/04 , H01L 43/12

FI (3)：

H01L 43/02 Z , H01L 43/04 , H01L 43/12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

特開昭51-083483
特開平2-284426
特開平3-094438

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Cited by examiner (14)

磁電変換素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-166217 Applicant：株式会社村田製作所
特開平2-049460
ホール素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-019882 Applicant：旭化成電子株式会社

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