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J-GLOBAL ID：200903072074806925

配線形成方法

Inventor： 齊藤 政良 ,  平沢 賢斉 ,  加藤 聖隆 ,  飯田 啓之 ,  萩原 嘉男 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  東京応化工業株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996106648
Publication number (International publication number)：1997293780
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 上下層の配線間に形成される層間絶縁膜の平坦性を向上させ、配線形成プロセスの歩留まり向上を図る。【解決手段】 半導体基板上に互いに近接して配置される第1の配線と第2の配線および前記第1、第2の配線とは離間して配置される第3の配線を形成する工程と、前記それぞれの配線が形成された前記半導体基板上に炭素含有率が13.5重量%以上の有機SOG膜形成材料を含む薬液を塗布する工程と、前記有機SOG形成材料を焼成して有機SOG膜を形成する工程と、前記有機SOG膜上に導電膜を形成した後、前記導電膜を選択的にエッチングして上層の配線を形成する工程とを含む配線形成方法である。この有機SOG膜形成材料は平坦性が良いため、層間絶縁膜の平坦性が向上し、上層配線の短絡不良を防止できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に互いに近接して配置される第1の配線と第2の配線および前記第1、第2の配線とは離間して配置される第3の配線を形成する工程と、前記それぞれの配線が形成された前記半導体基板上に炭素含有率が13.5重量%以上の有機SOG膜形成材料を含む薬液を塗布する工程とを含むことを特徴とする配線形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/316 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-104859   Applicant：株式会社日立製作所
• オルガノシロキサンオリゴマー液及びそれを用いた有機塗布ガラス膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227589   Applicant：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社