Pat
J-GLOBAL ID:200903072119671155

エッチング終点判定方法及びエッチング終点判定装置及びそれを用いた絶縁膜のエッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999107271
Publication number (International publication number):2000228397
Application date: Apr. 14, 1999
Publication date: Aug. 15, 2000
Summary:
【要約】【課題】低開口率の半導体ウェハであっても、半導体ウェハのエッチング終点を安定に検出できるエッチング終点判定方法及び装置を提供する。【解決手段】ドライエッチングのエッチング終点判定方法において、入力信号波形を第1デジタルフィルタ18によりノイズを低減するステップと、演算回路19による微分処理により信号波形の微係数(1次または2次)を求めるステップと、前のステップで求めた時系列微係数波形のノイズ成分を第2デジタルフィルタ20により低減して平滑化微係数値を求めるステップと、該平滑化微係数値と予め設定された値とを判別手段22により比較しエッチングの終点を判定するステップとを含むエッチング終点判定方法。
Claim (excerpt):
ドライエッチングのエッチング終点判定方法において、入力信号波形を第1デジタルフィルタによりノイズを低減するステップと、微分処理により信号波形の微係数(1次または2次)を求めるステップと、前のステップで求めた時系列微係数波形のノイズ成分を第2デジタルフィルタにより低減して平滑化微係数値を求めるステップと、該平滑化微係数値と予め設定された値とを判別手段により比較しエッチングの終点を判定するステップとを含むエッチング終点判定方法。
IPC (2):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2):
H01L 21/302 E ,  C23F 4/00 F
F-Term (17):
4K057DA14 ,  4K057DB17 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DJ02 ,  4K057DJ10 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004CB16 ,  5F004CB17 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004EB01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
Show all

Return to Previous Page