窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999043960
Publication number (International publication number)：1999354846
Application date： Jan. 14, 1997
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】電気的、光学的および結晶構造的等の性質に優れた窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法は、表面が(0001)面から[11-20]方向に第1の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する。

Claim (excerpt)：

表面が(0001)面から[11-20]方向に第1の角度で傾斜している炭化珪素基板の該表面に、導電性を有する窒化アルミニウム層を形成する工程と、該窒化アルミニウム層の上部に、窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体を形成する工程と、を包含する、窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 3/18 610

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 3/18 610

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-042964 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013393 Applicant：シャープ株式会社
特開昭56-059699

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