Pat
J-GLOBAL ID：200903072172829550

粒子線照射装置

Inventor：
垣内 俊二

About 垣内 俊二

, 
鈴木 啓之

About 鈴木 啓之


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998305010
Publication number (International publication number)：2000131499
Application date： Oct. 27, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】小型で、かつ信頼性の高い粒子線照射装置を提供する。【解決手段】発生する磁場の方向が時間変化する複数の第一のワブラー電磁石2および第二のワブラー電磁石4を有し、加速器で加速された粒子線を第一のワブラー電磁石2および第二のワブラー電磁石4で偏向した後に出力する粒子線照射装置において、第一のワブラー電磁石2および第二のワブラー電磁石4の有効磁場範囲内に存在する機器または機器の支持構造物を、絶縁物質または金属よりも電気抵抗の大きな材料により構成する。
Claim (excerpt)：
発生する磁場の方向が時間変化する複数の走査電磁石を有し、加速器で加速された粒子線を前記走査電磁石で偏向した後に出力する粒子線照射装置において、前記走査電磁石の有効磁場範囲内に存在する機器または機器の支持構造物を、絶縁物質または金属よりも電気抵抗の大きな材料により構成することを特徴とする粒子線照射装置。
IPC (3)：
G21K 1/093 ,  A61N 5/10 ,  G21K 5/04
FI (3)：
G21K 1/093 S ,  A61N 5/10 K ,  G21K 5/04 A
F-Term (7)：
4C082AA01 ,  4C082AC04 ,  4C082AE01 ,  4C082AE03 ,  4C082AG12 ,  4C082AG42 ,  4C082AG52
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM