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J-GLOBAL ID：200903072194705715

透明導電積層体

Inventor：
原 寛

About 原 寛

, 
田村 優次

About 田村 優次


Applicant, Patent owner：
帝人株式会社

About 帝人株式会社


Agent (1)： 前田 純博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999305261
Publication number (International publication number)：2001121641
Application date： Oct. 27, 1999
Publication date： May. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高分子基板上に、成膜直後から抵抗値が低減された透明導電膜を形成し、さらにかかる膜に熱等の刺激を与えることでより抵抗値を低減できる透明導電積層体並びにその製造方法を提供することにある。【解決手段】 高分子基板上にインジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)及び酸素原子(O)を主成分とする透明導電膜が形成されてなる透明導電積層体であって、InとSnの合計原子濃度に対するSn原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、InとZnの合計原子濃度に対するZnの原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、かつSnとZnの原子濃度の合計に対するZnの原子濃度の比が0より大きく0.3未満の範囲であることを特徴とする透明導電積層体。
Claim (excerpt)：
高分子基板上にインジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)及び酸素原子(O)を主成分とする透明導電膜が形成されてなる透明導電積層体であって、InとSnの合計原子濃度に対するSn原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、InとZnの合計原子濃度に対するZnの原子濃度が0.01〜0.1の範囲であり、かつSnとZnの原子濃度の合計に対するZnの原子濃度の比が0より大きく0.30未満の範囲であることを特徴とする透明導電積層体。
IPC (3)：
B32B 7/02 103 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503
FI (3)：
B32B 7/02 103 ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B
F-Term (23)：
4F100AA40B ,  4F100AB18B ,  4F100AB21B ,  4F100AB40B ,  4F100AK01A ,  4F100AK45 ,  4F100AR00B ,  4F100BA02 ,  4F100GB90 ,  4F100JA20A ,  4F100JA20B ,  4F100JG01B ,  4F100JG04B ,  4F100JM02B ,  4F100JN01B ,  4F100YY00B ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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