半導体装置、半導体発光装置、および光情報処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997126703
Publication number (International publication number)：1998321957
Application date： May. 16, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【目的】窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成される半導体装置、あるいは半導体発光装置の低駆動電圧化を実現する。低動作電圧の光情報処理装置を実現する。【構成】少なくとも窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成されるpn接合部を少なくとも有し、このpn接合は印加電圧に対して逆接合となり、且つこのpn接合の界面に禁制対幅が実質的に零なるIII-V族化合物半導体層を有する半導体装置。【効果】低駆動電圧の半導体装置、半導体発光装置を実現出来る。更に、複数の半導体装置を所定位置に配置、例えば直列に形成することも可能となる。低動作電圧の光情報処理装置を実現出来る。

Claim (excerpt)：

少なくとも窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成されるpn接合部を少なくとも有し、このpn接合は印加電圧に対して逆接合となり、且つこのpn接合の界面に禁制対幅が実質的に零なるIII-V族化合物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 27/15 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 27/15 B , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-281958 Applicant：三菱化学株式会社
半導体レーザー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-356021 Applicant：トヨタ自動車株式会社

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