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J-GLOBAL ID:200903072356319288

配線基板、半導体装置および表示モジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005157738
Publication number (International publication number):2006332545
Application date: May. 30, 2005
Publication date: Dec. 07, 2006
Summary:
【課題】フィルム基材の厚さが薄くなっても、導体配線に作用する曲げ応力が十分に緩和され、断線の発生が抑制される配線基板を提供する。 【解決手段】可撓性絶縁基材1と、可撓性絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線2と、各導体配線の同一の一方の端部に設けられた突起電極3と、各導体配線の他方の端部に設けられた外部端子4、5と、導体配線、突起電極および外部端子に施された金属めっき層と、突起電極が設けられた端部と外部端子の間の領域に導体配線を被覆して形成されたソルダーレジスト層7とを備える。ソルダーレジスト層が形成された領域においては、導体配線に金属めっき層が形成されておらず、かつ、導体配線の可撓性絶縁性基材と接触する面は、可撓性絶縁性基材と接触しない面より表面粗さが粗い。【選択図】図1
Claim (excerpt):
可撓性絶縁基材と、 前記可撓性絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線と、 前記各導体配線の同一の一方の端部に設けられた突起電極と、 前記各導体配線の他方の端部に設けられた外部端子と、 前記導体配線、前記突起電極および前記外部端子に施された金属めっき層と、 前記突起電極が設けられた端部と前記外部端子の間の領域に前記導体配線を被覆して形成されたソルダーレジスト層とを備えた配線基板において、 前記ソルダーレジスト層が形成された領域においては、前記導体配線に前記金属めっき層が形成されておらず、かつ、前記導体配線の前記可撓性絶縁性基材と接触する面は、前記可撓性絶縁性基材と接触しない面より表面粗さが粗いことを特徴とする配線基板。
IPC (1):
H01L 21/60
FI (1):
H01L21/60 311W
F-Term (5):
5F044MM03 ,  5F044MM16 ,  5F044MM21 ,  5F044MM35 ,  5F044MM48
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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