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J-GLOBAL ID：200903072513431402

真空熱処理装置

Inventor： 高橋 誠一 ,  浅利 伸 ,  太田 賀文 ,  藤原 律子 ,  砂賀 芳雄
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074978
Publication number (International publication number)：1999260738
Application date： Mar. 09, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】短時間で超高真空雰囲気にできる真空熱処理装置を提供する。【解決手段】本発明の真空熱処理装置1は、熱処理室12に接続された第2のロードロック室32の前室に第1のロードロック室31が設けられており、その第1のロードロック室31に移載室25が接続されている。第1の真空ロードロック室31には加熱手段24が設けられており処理対象物17を加熱できるように構成されているので、移載室25から第1のロードロック室31内に水分が侵入しても、熱処理室12内には水分が侵入せず、超高真空雰囲気にするまでの真空排気時間が短くて済む。

Claim (excerpt)：

処理対象物を搬入できるように構成された移載室と、前記移載室に開閉可能なゲートバルブを介して接続された第1のロードロック室と、前記第1のロードロック室に開閉可能なゲートバルブを介して接続された第2のロードロック室と、前記第2のロードロック室に接続され、搬入された処理対象物を熱処理できるように構成された熱処理室とを有し、前記第1、第2のロードロック室は真空排気可能に構成され、前記第1のロードロック室には、気体を導入できるガス導入管が設けられ、前記第1のロードロック室に前記気体を充満させた後、前記移載室と前記第1のロードロック室とを接続させられるように構成されたことを特徴とする真空熱処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C21D 1/773 ,  F27B 5/16

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C21D 1/773 A ,  F27B 5/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-218017
  
• 薄膜製造方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-334020   Applicant：ソニー株式会社
• 真空成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-050898   Applicant：キヤノン株式会社