半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北野好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995067546
Publication number (International publication number)：1996264535
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】専用の一体型の装置を必要とせずに既存のスパッタ装置と熱処理装置を用いて、半導体基板上に形成した配線溝に銅を堆積して銅配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】シリコンウエーハ10上のシリコン酸化膜12に配線溝11を形成する配線溝形成工程と、スパッタ法により配線溝11を含むシリコン酸化膜12上に銅膜14を形成する銅膜形成工程と、銅膜14を酸化する酸化工程と、銅膜14を水素雰囲気中で熱処理することにより、銅膜14をリフローして配線溝11中に充填するリフロー工程とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜に配線溝を形成する配線溝形成工程と、スパッタ法により前記配線溝を含む前記絶縁膜上に銅膜を形成する銅膜形成工程と、前記銅膜を酸化する酸化工程と、前記銅膜を水素雰囲気中で熱処理することにより、前記銅膜をリフローして前記配線溝中に充填するリフロー工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/88 B , H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-015914 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-067410 Applicant：株式会社東芝
配線構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-022650 Applicant：宮城沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社

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