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J-GLOBAL ID：200903072543739380

塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  渡辺 武 ,  永田 岳志 ,  前田 和規 ,  西 恒寛
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 奥山 尚一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001164044
Publication number (International publication number)：2002363148
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 膜減りを防止し、より高い解像性と大きいフォーカスマージンを有するレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)と(2)で表される塩基性化合物及び下記一般式(1)、及び(2)で示される塩基性化合物の1種又は2種以上を含有するレジスト材料を提供する。また、上記レジスト材料を基板上に塗布する工程と、次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法を提案する。【化1】

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表される塩基性化合物。【化1】(上式中、R1は同一又は異種の炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、R2は同一又は異種の水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基であって、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、カーボネート基、又はシアノ基を含んでいても良い。Rp、Rq、Rrは同一又は異種の炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環、カーボネート基、又はシアノ基を含んでいても良く、RpとRq、RpとRr、RqとRrがそれぞれ結合して環を形成していてもよい。aは1〜3の整数であり、bは0〜2の整数であり、かつa+b=3を満足する。)

IPC (8)：

C07C229/12 ,  C07C229/16 ,  C07D295/14 ,  C07D307/14 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (8)：

C07C229/12 ,  C07C229/16 ,  C07D295/14 Z ,  C07D307/14 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (20)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C037CA10 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92 ,  4H006BT12 ,  4H006BU32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ジフルオロスタトン抗ウイルス剤
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-505010   Applicant：メリル・フアーマシユウテイカルズ・インコーポレイテツド
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148742   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-139097   Applicant：富士写真フイルム株式会社