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J-GLOBAL ID:200903072549088712
化学的気相成長装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998361541
Publication number (International publication number):2000183048
Application date: Dec. 18, 1998
Publication date: Jun. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 輸送管に由来するパーティクルの付着を抑制し、パーティクルの付着の少ない成膜を形成可能な化学的気相成長装置を提供すること。【解決手段】 開通バルブ16a,16b,16c,...と蒸気導入口13との間に、開通バルブ16a,16b,16c,...から導入される原料蒸気A,B,C,...の圧力を所定圧力に低下させて、蒸気導入口13から反応器10へと導入させる衝撃流抑制手段51を備えた構成とした。
Claim (excerpt):
1つまたは複数の原料蒸気を発生させる原料蒸気発生器と、この原料蒸気発生器で発生した原料蒸気を、輸送管を介して反応器に導入する1つまたは複数の蒸気導入口と、前記原料蒸気発生器と蒸気導入口との間に設けられ、前記原料蒸気の反応器への導入を開閉制御する開通バルブと、前記原料蒸気の導入下で、前記反応器内に設けられたサセプタに支持・加熱される基板と、前記反応器内で生成された生成ガス及び前記原料蒸気を排出するための排気口と、この排気口に接続され、前記反応器内で生成された生成ガス及び前記原料蒸気を外部へと排出する排気手段と、を備え、前記原料蒸気を基板もしくはその近傍で化学反応させ、基板に薄膜を形成する化学的気相成長装置において、前記開通バルブと蒸気導入口との間に設けられ、前記開通バルブから導入される前記原料蒸気の圧力を所定圧力に低下させて、前記蒸気導入口から反応器へと導入させる衝撃流抑制手段を備えたことを特徴とする化学的気相成長装置。
IPC (3):
H01L 21/31
, C23C 16/455
, H01L 21/205
FI (3):
H01L 21/31 B
, C23C 16/44 D
, H01L 21/205
F-Term (10):
4K030AA11
, 4K030BA42
, 4K030CA04
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030JA05
, 5F045BB15
, 5F045EE01
, 5F045EE18
, 5F045EG01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平3-137094
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CVD膜生成方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-038559
Applicant:国際電気株式会社
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プラズマ処理装置、及びガス供給方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-349582
Applicant:株式会社日立製作所
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