Pat
J-GLOBAL ID：200903072607888287

金属残留物の検査装置及び方法

Inventor：
リー ジン キュウ

About リー ジン キュウ


Applicant, Patent owner：
ドンブアナム セミコンダクター インコーポレイテッド

About ドンブアナム セミコンダクター インコーポレイテッド


Agent (5)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  宍戸 嘉一 ,  弟子丸 健 ,  井野 砂里
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005379003
Publication number (International publication number)：2006191101
Application date： Dec. 28, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：
【課題】化学機械的な研磨工程を実施した後、金属残留物の残留有無及び残留する厚さを迅速かつ効果的に検出することのできる金属残留物の検査装置及びこれを用いた検査方法を提供する。【解決手段】本発明に係る金属残留物の検査装置は、化学機械的な平坦化工程が進行したウェーハの上部層に一定の波長の光を放出する光放出器と、前記ウェーハの上部層からの反射光を受光する光検出器と、前記光検出器によって受光された反射光が伝達され、前記反射光から派生した情報をイメージで出力するイメージ出力器とを含むことを特徴とする。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)工程が進行されたウェーハの上部層に一定の波長の光を放出する光放出器と、 前記ウェーハの上部層からの反射光を受光する光検出器と、 前記光検出器によって受光された反射光が伝達され、前記反射光から派生した情報をイメージで出力するイメージ出力器とを含むことを特徴とする金属残留物の検査装置。
IPC (3)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/66
FI (4)：
H01L21/304 622P ,  B24B37/04 K ,  H01L21/66 J ,  H01L21/66 P
F-Term (22)：
3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA02 ,  3C058BA07 ,  3C058BA14 ,  3C058BB02 ,  3C058BC02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA21 ,  4M106CA38 ,  4M106CA48 ,  4M106DB02 ,  4M106DB07 ,  4M106DB15 ,  4M106DB16 ,  4M106DB30 ,  4M106DH57
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM