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J-GLOBAL ID：200903072651221320

窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子

Inventor：
尺田 幸男

About 尺田 幸男


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (4)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007135604
Publication number (International publication number)：2008078613
Application date： May. 22, 2007
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：
【課題】高温AlNバッファ層上に形成される窒化物半導体結晶の結晶性及び表面状態を改善することができる窒化物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】成長用基板上にAlNバッファ層を積層し、その上に窒化物半導体結晶を結晶成長させる窒化物半導体の製造工程において、AlNバッファ層を結晶成長させる場合、900°C以上の高温で成長させるとともに、AlNバッファ層のAl原料ガスを先に反応室に供給して連続的に流しておき、その後、N原料ガスを間欠的に供給する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
AlNバッファ層上に窒化物半導体結晶を成長させる窒化物半導体の製造方法であって、 前記AlNバッファ層は、成長温度900°C以上において、Al原料の供給を開始した後、N原料を間欠的に供給するとともにAl原料は連続的に供給することにより形成されることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 610
F-Term (40)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045HA03 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ14 ,  5F173AQ15 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR23 ,  5F173AR24 ,  5F173AR81
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特許第3478287号公報
  • 特公平8-8217号公報
Cited by examiner (3)

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