半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法及び製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998338149
Publication number (International publication number)：2000012902
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】低温で短時間に高効率で生産可能な半導体デバイスの製造方法及び製造装置並びにこれにより製造された高品質で高機能の半導体デバイスの提供。【解決手段】耐熱温度600°C以下の基板上に、周期律表におけるIII A族元素から選択される1以上の元素と窒素原子とを含み、かつ、室温においてバンド端でのフォトルミネッセンスを発生する窒化物系化合物による膜を設けたことを特徴とする半導体デバイスである。また、窒素化合物を連続的に活性化しながら、この活性化された雰囲気にIII A族元素から選択される1以上の元素を含む有機金属化合物を間欠的に導入して、窒素及び前記III A族元素を含む窒化物系化合物による膜を基板上に形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。

Claim (excerpt)：

耐熱温度600°C以下の基板上に、周期律表におけるIII A族元素から選択される1以上の元素と窒素原子とを含み、かつ、室温においてバンド端でのフォトルミネッセンスを発生する窒化物系化合物による膜を設けたことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 31/10 , H01S 5/323

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01S 3/18 673 , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-183043 Applicant：昭和電工株式会社
非晶質光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-295449 Applicant：富士ゼロックス株式会社
窒化ガリウム系薄膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-265835 Applicant：旭化成工業株式会社