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J-GLOBAL ID：200903072768051417

多結晶半導体TFT、その製造方法、及びTFT基板

Inventor：
増茂 邦雄

About 増茂 邦雄

, 
加藤 直樹

About 加藤 直樹


Applicant, Patent owner：
エイ・ジー・テクノロジー株式会社

About エイ・ジー・テクノロジー株式会社


Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996079047
Publication number (International publication number)：1997270516
Application date： Apr. 01, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：
【要約】【課題】高オフ耐圧、高オン電流のTFTを得る。【解決手段】ガラス基板1、下地膜2、多結晶シリコン3、ゲート絶縁膜4、ゲート電極5G、ソース・ドレイン領域7、層間絶縁膜8、ソース・ドレイン電極9、画素電極10、遮光膜11、オフセット領域15を設けた多結晶シリコンTFTであり、オフセット領域15上にゲート絶縁膜4と層間絶縁膜8とを介してソース・ドレイン電極9を配置する。
Claim (excerpt)：
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル領域、チャネル領域とソース領域との間に配置されたソース側オフセット領域、及びチャネル領域とドレイン領域との間に配置されたドレイン側オフセット領域が設けられた多結晶半導体TFTにおいて、ソース側オフセット領域の上部の位置にゲート絶縁膜と第2の絶縁膜を間に挟んでソース電極の一部が配置され、かつドレイン側オフセット領域の上部の位置にゲート絶縁膜と第2の絶縁膜を間に挟んでドレイン電極の一部が配置されてなることを特徴とする多結晶半導体TFT。
IPC (4)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12
FI (4)：
H01L 29/78 617 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 612 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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