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J-GLOBAL ID：200903072826304100

半導体量子ドット素子及びその製造方法

Inventor：
斎藤 英彰

About 斎藤 英彰


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 工藤 実 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998184832
Publication number (International publication number)：2000022278
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 量子ドット構造の厚さを任意の厚さで揃えて、エネルギー幅が狭く鋭いピーク状の状態密度を持つ、高密度な量子ドットを備えた半導体量子ドット素子を提供する。【解決手段】 本発明の半導体量子ドット素子は、第1の半導体層3と、前記第1の半導体層3の上に設けられた活性層13と、前記活性層13の上に設けられた第2の半導体層6とから成り、前記活性層13が、複数の単位量子ドットから成る量子ドット層4と、前記複数の単位量子ドット間を満たすように設けられた膜厚調整層5とから成る事を特徴とする。
Claim (excerpt)：
第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた第2の半導体層から成り、前記活性層が、複数の単位量子ドットから成る量子ドット層と、前記複数の単位量子ドット間を満たすように設けられた膜厚調整層とから成る事を特徴とする半導体量子ドット素子。
IPC (2)：
H01S 5/30 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A
F-Term (12)：
5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F073AA22 ,  5F073AA51 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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