Pat
J-GLOBAL ID：200903072831020039

トレンチ構造を有する半導体装置およびその製造方法

Inventor：
西原 秀典

About 西原 秀典


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994056157
Publication number (International publication number)：1995249769
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 トレンチの側壁上端角部上に位置する絶縁層の絶縁耐圧が向上された、トレンチ構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 p+型単結晶シリコン基板1の主表面にはトレンチ13が形成される。このトレンチ13の内表面からp+型単結晶シリコン基板1の主表面上にわたってシリコン酸化膜7が形成されている。このシリコン酸化膜7においてトレンチ13の側壁上端角部上に位置するコーナ部7aの厚みは、トレンチ13の側壁上に位置するシリコン酸化膜7の厚みよりも厚くなっている。このシリコン酸化膜7上には、トレンチ13内からp+型単結晶シリコン基板1の主表面上にまで延在するn型多結晶シリコン層8が形成されている。
Claim (excerpt)：
主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成されたトレンチと、前記トレンチ内表面上から前記半導体基板の主表面上に延在するように形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記トレンチ内から前記半導体基板主表面上に延在するように形成された導電層とを備え、前記導電層によって覆われた前記トレンチの側壁上端角部上に位置する前記絶縁層の厚みが、前記上端角部を除く前記トレンチ側壁上に位置する前記絶縁層の厚みよりも大きい、トレンチ構造を有する半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316
FI (2)：
H01L 29/78 321 V ,  H01L 21/265 W
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (10)
  • 特開昭63-133664
  • 特開昭63-133664
  • 特開昭64-080059
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM