化合物半導体の気相成長方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995202111
Publication number (International publication number)：1997050963
Application date： Aug. 08, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】化合物半導体の気相成長方法において、活性な炭素不純物の取り込み効率を増大させることのできる方法を提供すること。【解決手段】上記課題は、炭素を不純物として添加した半導体層を気相成長法を用いて成長させる化合物半導体の気相成長方法において、上記半導体層の成長温度を、成長が反応律速になる範囲に選ぶことによって解決することができる。

Claim (excerpt)：

炭素を不純物として添加した半導体層を気相成長法を用いて成長させる化合物半導体の気相成長方法において、上記半導体層の成長温度を、成長が反応律速になる範囲に選ぶことを特徴とする化合物半導体の気相成長方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

エピタキシャルウェハの製作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-020518 Applicant：古河電気工業株式会社
気相成長法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-191673 Applicant：日本電信電話株式会社
化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-234908 Applicant：日立電線株式会社

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