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J-GLOBAL ID：200903072852384812

窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法。

Inventor： 大塚 寛治 ,  清宮 義博 ,  鷹野 致和
Applicant, Patent owner： タマティーエルオー株式会社
Agent (2)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006003254
Publication number (International publication number)：2007186350
Application date： Jan. 11, 2006
Publication date： Jul. 26, 2007
Summary：

【課題】生産性が高く、かつコストが低い窒化アルミニウム含有膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、基板1上に窒化ホウ素膜2を形成する工程と、窒化ホウ素膜2上にアルミニウム膜3を形成する工程と、アルミニウム膜3及び窒化ホウ素膜2を窒素雰囲気中で加熱処理してアルミニウム膜3を溶融させることにより、基板1上に窒化アルミニウム含有膜4を形成する工程とを具備する。この窒化アルミニウム含有膜の製造方法によれば、窒化ホウ素2と溶融したアルミニウム膜3の固液反応によりアルミニウムの窒化反応が進行して、窒化アルミニウム含有膜4が形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、 前記窒化ホウ素膜上にアルミニウム膜を形成する工程と、 前記アルミニウム膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程と、 を具備する窒化アルミニウム含有膜の製造方法。

IPC (1)：

C30B 29/38

FI (1)：

C30B29/38 C

F-Term (6)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CC04 ,  4G077EA06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 単結晶成長用基体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-177104   Applicant：京セラ株式会社
• 単結晶成長用基体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-038818   Applicant：京セラ株式会社