トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005068240
Publication number (International publication number)：2005260244
Application date： Mar. 10, 2005
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【課題】トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層が順次に積層されており、p型クラッド層上に電気的及び光学的特性を向上させることができるように伝導性を有する素材で30μm以下の幅を有するサイズのセルを相互に離隔されるように格子状に形成された格子セル層と、p型クラッド層の表面を保護することができるように、少なくともセル間領域をカバーできるようにp型クラッド層上に形成された表面保護層と、表面保護層と格子セル層上に透明伝導性素材で形成された透明伝導性薄膜層とを備えるトップエミット型窒化物系発光素子である。これにより、p型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて優秀な電流-電圧特性を表すだけではなく、高い光透過性を提供し、素子の発光効率を高めることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

n型クラッド層とp型クラッド層との間に活性層を有するトップエミット型窒化物系発光素子において、前記p型クラッド層上に、伝導性を有する素材で30μm以下の幅を有するサイズのセルを相互に離隔されるように格子状に形成された格子セル層と、前記p型クラッド層の表面を保護することができるように、少なくとも前記セル間領域をカバーできるように、前記p型クラッド層上に形成された表面保護層と、前記表面保護層と前記格子セル層上に透明伝導性素材で形成された透明伝導性薄膜層と、を備えることを特徴とするトップエミット型窒化物系発光素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (12)：

5F041AA24 , 5F041AA43 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA83 , 5F041CA84 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CA98

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6,、287,947号明細書

Cited by examiner (4)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-077477 Applicant：株式会社東芝
オーミック電極、n型電極、窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-334897 Applicant：シャープ株式会社
素子の電極及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-028527 Applicant：豊田合成株式会社

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